●金属氯化物生产 在温度为700 ℃和有光气 、NiCl 2存在下,可通过碳硅和氯化氢反应制取四氯化硅 。也可通过相应的金属氮化物和氯化氢反应来制取Mo、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、Cr、W等金属的....
精制后的氯化氢气体由于杂质量很少(尤其是有机物),因此其用途广泛,下面简单叙述其利用途径 。 ●生产盐酸 精制后的HCl气(在填料塔或膜式吸收塔)用水吸收可生产工业级盐酸,这是大多....
外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度....
各类气瓶的检验周期，不得超过下列规定(否则耗子尾汁)： 1、 盛装腐蚀性气体（H2S、HC L、SO2、CO等）的气瓶、潜水气瓶以及常与海水接触的气瓶每二年检验一次。 2、 盛装一般性气体（....
硅烷的又一应用是非晶半导体非晶硅。与单晶半导体材料相比非晶硅的特点是容易形成极薄的(厚度10nm左右)大面积器件，衬底可以是玻璃、不锈钢、甚至塑料，表面可以是平面也可是曲....
二氧化碳（CO2）气体保护焊时，由于熔滴过渡的不同形式，需采用不同的焊接工艺参数 （1）短路过渡时的工艺参数 短路过渡焊接采用细丝焊，常用焊丝直径为0.6～1.2，随着焊丝直径增....
3、掺杂混合气：在半导体器件和集成电路制造中，进口电子气体加微信号bluceren咨询了解。将某些杂质掺入半导体材料内，使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、....
1、外延（生长）混合气：在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅（DCS）、四氯....
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